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Time Multiplexed Deep Etching

Deep reactive-ion etching — (DRIE) is a highly anisotropic etch process used to create deep penetration, steep sided holes and trenches in wafers, with aspect ratios of 20:1 or more. It was developed for microelectromechanical systems (MEMS), which require these features,… … Wikipedia
TMDE — Test, Measurement, and Diagnostic Equipment (Governmental » Military) Test, Measurement, and Diagnostic Equipment (Governmental » NASA) Test, Measurement, and Diagnostic Equipment (Governmental » Transportation) Test, Measurement, and Diagnostic… … Abbreviations dictionary
Plasma-unterstütztes Ätzen — (physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen sie alternative Strukturierungsverfahren zum sog. Nassätzen (nasschemischen … Deutsch Wikipedia
RIE — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem … Deutsch Wikipedia
Reaktives Ionenätzen — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem … Deutsch Wikipedia